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Modulo IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2025682
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NXH35C120L2C2SG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
modulo igbt
Corrente massima continuativa collettore = 35 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±20.0V
Numero di transistor = 6
Tipo di package = DIP26
Tipo di montaggio = Su foro
Tipo di canale = N
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
35 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20.0V
Numero di transistor:
6
Configurazione:
Trifase
Tipo di package:
DIP26
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Altri termini di ricerca: 2025682, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, NXH35C120L2C2SG
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