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Memoria NVRAM
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Articolo
NVRAM Infineon, 4Mbit, 44 Pin, Montaggio superficiale, TSOP, Parallelo
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1949074
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
CY14B104LA-ZS45XI
EAN/GTIN:
5059045333708
Termini di ricerca:
Memoria NVRAM
Memorias NVRAM
memoria nvram
Cypress CY14B104LA/CY14B104NA è una RAM statica veloce (SRAM), con un elemento non volatile in ogni cella di memoria. La memoria è organizzata come 512K byte di 8 bit ciascuno o 256K parole di 16 bit ciascuno. Gli elementi non volatili incorporati incorporano la tecnologia QuantumTrap, che produce una memoria non volatile affidabile. La SRAM fornisce infiniti cicli di lettura e scrittura, mentre i dati non volatili indipendenti risiedono nella cella QuantumTrap estremamente affidabile. Il trasferimento dei dati dalla SRAM agli elementi non volatili (loperazione DI MEMORIZZAZIONE) avviene automaticamente allo spegnimento. Allaccensione, i dati vengono ripristinati nella SRAM (operazione DI RICHIAMO) dalla memoria non volatile. Le operazioni DI MEMORIZZAZIONE e RICHIAMO sono disponibili anche sotto il controllo del software.
Altre informazioni:
Dimensioni memoria:
4Mbit
Organizzazione:
512K x 8 bit
Interfacce:
Parallelo
Larghezza del bus dati:
8bit
Tempo di accesso casuale massimo:
45ns
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tipo di package:
TSOP
Numero pin:
44
Dimensioni:
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Lunghezza:
18.51mm
Larghezza:
10.26mm
Altezza:
1.04mm
Tensione di alimentazione operativa massima:
3,6 V
Massima temperatura operativa:
+85 °C
Tensione di alimentazione operativa minima:
2,7 V
... >
Semiconduttori
>
Memorie
>
Nvram
Altri termini di ricerca:
1949074
,
Semiconduttori
,
Memorie
,
NVRAM
,
Infineon
,
CY14B104LAZS45XI
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