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MOSFET IXYS, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-194619
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFP12N50P
EAN/GTIN:
     5059041318877
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS. MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
12 A
Tensione massima drain source:
500 V
Tipo di package:
TO-220
Serie:
HiperFET, Polar
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
500 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5.5V
Dissipazione di potenza massima:
200 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
10.66mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 194619, Semiconduttori, Discreti, IXYS, IXFP12N50P
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