Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-1885304 N. Art. Produtt.:
CY15B104Q-SXI EAN/GTIN:
n.d. |
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| FRAM, Cypress Semiconductor. La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100. Memoria RAM non volatile ferroelettrica Velocità di scrittura rapida Durata elevata Basso consumo energetico Altre informazioni: | | Dimensioni memoria: | 4Mbit | Organizzazione: | 512k x 8 bit | Interfacce: | SPI | Larghezza del bus dati: | 8bit | Tempo di accesso casuale massimo: | 16ns | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Tipo di package: | SOIC | Numero pin: | 8 | Dimensioni: | 5.33 x 5.33 x 1.78mm | Lunghezza: | 5.33mm | Tensione di alimentazione operativa massima: | 3,6 V | Larghezza: | 5.33mm | Altezza: | 1.78mm | Massima temperatura operativa: | +85 °C | Tensione di alimentazione operativa minima: | 2 V |
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| Altri termini di ricerca: 1885304, Semiconduttori, Memorie, Infineon, CY15B104QSXI |
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