Categorie
Forniture per ufficio
Hardware, software, telecomunicazione
Attrezzi e strumenti
Elettronica, elettrotecnica
Arredamento aziendale, allestimento magazzini
Sicurezza sul lavoro
Forniture tecniche e industriali
Prodotti medicali, terapia, laboratorio
Domotica, impiantistica
Materiali per spedizioni e imballaggi
Hotel, gastronomia, alimenti, bevande
Pulizia
Altre categorie
Italia
Italiano
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
My Mercateo
Accedi / Registrati
Accesso
Nuovo cliente?
Registrati ora
>
Profilo
Archivio ordini
Liste degli acquisti
Richieste d'acquisto
Carrello
Pagina iniziale
>
Elettronica, elettrotecnica
>
Componenti elettronici attivi
>
Raddrizzatore, diodi, transistori
>
Transistori
>
MOSFET
>
Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 99 mΩ, 37,9 A, TO-220, Su foro
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
Chiudi finestra
N. Articolo:
3369E-1685936
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IPP60R099P6XKSA1
EAN/GTIN:
5059043376028
Termini di ricerca:
Correzione del fattore di potenza
MOSFET
correzione del fattore di potenza
MOSFET di potenza Infineon serie CoolMOS™E6/P6. La gamma di MOSFET Infineon della serie CoolMOS ;sup>™ ;/sup>E6 e P6. Questi dispositivi sono estremamente efficienti e possono essere utilizzati in diverse applicazioni, tra cui la correzione del fattore di potenza (PFC), l'illuminazione e i dispositivi di consumo, nonché celle solari, telecomunicazioni e server.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
37,9 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-220
Serie:
CoolMOS™ P6
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
99 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Tensione di soglia gate minima:
3.5V
Dissipazione di potenza massima:
278 W
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
10.36mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
1685936
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IPP60R099P6XKSA1
Riepilogo condizioni
1
Tempi di consegna
Stato magazzino
Prezzo
a partire da € 133,50*
Il prezzo è valido a partire da 500 pacchetti
1 pacchetto contiene 50 pezzi (a partire da € 2,67* per pezzo)
Scegli condizioni
Consiglia articolo
Aggiungi alla lista d’acquisto
Prezzi progressivi
Quantità di ordine
Netto
Lordo
Unità
1 pacchetto
€ 175,43*
€ 214,0246
per pacchetto
a partire da 2 pacchetti
€ 165,73*
€ 202,1906
per pacchetto
a partire da 5 pacchetti
€ 147,03*
€ 179,3766
per pacchetto
a partire da 10 pacchetti
€ 143,46*
€ 175,0212
per pacchetto
a partire da 500 pacchetti
€ 133,50*
€ 162,87
per pacchetto
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217
Chi siamo
Assistenza
Area stampa
Lavora con noi
Condizioni generali di contratto
Dati societari
Informativa sulla privacy
RSI
Impostazioni privacy