Transistor di potenza  (27.864 offerte tra 5.610.109 articoli)

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adat...

OptiMOS™ a 150 V raggiunge una riduzione R DS(on) del 40% e del 45% nella figura di merito (FOM) rispetto al migliore prodotto della concorrenza. Questo drastico miglioramento apre nuove possibilit...

MOSFET di potenza a canale P da 40V a 55V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di f...

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adat...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 130 A Tensione massima drain source = 75 V Serie = IRF1407PbF Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Resistenza massima drain source ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.139 ohm Gamma di prodotti CoolMOS CFD7 Numero di pin 10 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canal...