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  Modulo IGBT  (1.764 offerte tra 5.582.859 articoli)

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Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 303 A, Q2PACK (senza piombo/alogenuro) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 303 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 592 W Tipo di package = Q2PACK (...
onsemi
NXH350N100H4Q2F2P1G
a partire da € 204,715*
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 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 616 A, canale N (1 offerta) 
Il modulo IGBT rapido 4 Semikron Semitrans 3 appartiene alla generazione IGBT4 che può essere la scelta preferita per applicazioni quali saldatrici elettroniche a frequenze di commutazione fino a 2...
Semikron
SKM400GB12T4
a partire da € 209,206*
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 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65H5FKSA1
a partire da € 3,238*
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 pezzi
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 409 A, 93x47 (PRESSFIT) (senza piombo/alogenuro), PIM42 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 409 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 959 W. Tipo di package = 93x47 (...
onsemi
NXH400N100H4Q2F2PG
a partire da € 263,597*
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 pezzo
Modulo IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, canale N, SDIP2B-26L TIPO X (2 offerte) 
Il robusto IGBT ST STMicroelectronics SLLIMM - serie 2nd IPM, inverter trifase, 15 A, 600 V, a corto circuito fornisce un azionamento per motori c.a. compatto e ad alte prestazioni in una struttura...
ST Microelectronics
STGIB10CH60TS-X
a partire da € 9,07*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, canale N, SDIP2B-26L TIPO X (2 offerte) 
Il robusto IGBT ST STMicroelectronics SLLIMM - serie 2nd IPM, inverter trifase, 20 A, 600 V, a corto circuito fornisce un azionamento per motori c.a. compatto e ad alte prestazioni in una struttura...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-X
a partire da € 11,015*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM100GAL12F4
a partire da € 48,917*
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 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 73 A, 93x47 (PRESSFIT) (pin senza piombo e senza alogenuro a pressione), Q2BOOST - (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 73 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 6
onsemi
NXH300B100H4Q2F2PG
a partire da € 162,023*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, PG-TO263-7 (1 offerta) 
Tipo di package = PG-TO263-7
Infineon
IMBG120R350M1HXTMA1
a partire da € 4,479*
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 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 24 A, PG-TO-220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 24 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 110 W Tipo di package = PG-TO-220-3
Infineon
IKP10N60TXKSA1
a partire da € 1,02*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM150GB12F4
a partire da € 804,82*
per 8 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST (1 offerta) 
NXH100B120H3Q0 è un modulo di potenza contenente uno stadio dual boost costituito da due IGBT da 50A/1200 V, due diodi SiC da 20A/1200 V e due diodi in antiparallelo da 25 A/1600 V per gli IGBT. So...
onsemi
NXH100B120H3Q0STG
a partire da € 65,382*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 90 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 333 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IGP50N60TXKSA1
a partire da € 2,716*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 105 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IKP15N65H5XKSA1
a partire da € 1,52*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 200 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM200GB12F4
a partire da € 143,479*
per pezzo
 
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