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MOSFET IXYS, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-220AB, Su foro (1 offerta)

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS. Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)

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Modulo raddrizzatore ponte, Monofase, IXYS, Ifwd 40A, VRRM 1600V, SOT-227B, Montaggio a pannello, 4 Pin (3 offerte)

UL E72873. Modulo raddrizzatore a ponte con terminali a vite, serie VBO40, IXYS. Contenitore con Direct Copper Bonding (DCB) isolato Corrente di dispersione estremamente bassa Caduta di tensione di...

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MOSFET IXYS, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227, Montaggio a vite (1 offerta)

MOSFET di potenza a canale N, IXYS serie lineare. MOSFET di potenza canale N progettato specificamente per il funzionamento lineare. Questi dispositivi sono caratterizzati da polarizzazione estesa ...

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MOSFET IXYS, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro (3 offerte)

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS. MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

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MOSFET IXYS, canale N, 25 mΩ, 75 A, TO-220, Su foro (1 offerta)

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS. MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

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Modulo raddrizzatore ponte, Monofase, IXYS, Ifwd 50A, VRRM 1600V, PWS A, Montaggio a pannello, 4 Pin (2 offerte)

UL E72873. Modulo raddrizzatore a ponte con terminali a vite, serie VBO50, IXYS. Contenitore con Direct Copper Bonding (DCB) in ceramica Ciclo di potenza e temperatura migliorato Caduta di tensione...

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VBO50-16NO7

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MOSFET IXYS, canale N, 15 mΩ, 110 A, TO-247, Su foro (1 offerta)

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS. MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

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MOSFET IXYS, canale N, 270 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro (1 offerta)

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS. MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

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Modulo tiristore doppio SCR IXYS, TO-240, 7 Pin, 140A, 1600V, Montaggio a pannello (1 offerta)

Modulo tiristori doppi serie MCMA, IXYS

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MOSFET IXYS, canale N, 19 mΩ, 150 A, TO-264, Su foro (1 offerta)

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS. Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)

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MOSFET IXYS, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro (1 offerta)

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS. I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono u...

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IXFK32N100Q3

a partire da € 21,387*
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MOSFET IXYS, canale N, 360 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro (1 offerta)

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS. Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)

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IXFH22N60P3

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Modulo tiristore doppio SCR IXYS, TO-240AA, 7 Pin, 116A, 1200V, Montaggio a pannello (1 offerta)

Componente omologato UL. Serie MCC. Serie tiristori doppi

IXYS

MCC95-12io1B

a partire da € 27,33*
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