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Ponte = TrifaseA Picco della tensione ripetitiva inversa = 400V Tipo di montaggio = Su foro Tipo di package = DBI P Numero pin = 5 Configurazione = Array 6

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1

Schede adattatrici per modulo IGBT SKYPER® 32 R e SKYPER® 32PRO R. Board 1 SKYPER® 32 R di Semikron è una scheda adattatrice per modulo driver di modulo di potenza IGBT che consente la personalizza...

Schede adattatrici per modulo IGBT SKYPER® 32 R e SKYPER® 32PRO R. Board 1 SKYPER® 32 R di Semikron è una scheda adattatrice per modulo driver di modulo di potenza IGBT che consente la personalizza...

Semikron SEMIPACK 3 è un modulo diodo raddrizzatore adatto per applicazioni quali raddrizzatori non controllabili per convertitori c.a./c.a., alimentazione di campo per motori c.c. e raddrizzatori ...

Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge

Semikron SEMIPACK 3 è un modulo diodo raddrizzatore adatto per applicazioni quali raddrizzatori non controllabili per convertitori c.a./c.a., alimentazione di campo per motori c.c. e raddrizzatori ...

Semikron SEMIPACK 3 è un modulo diodo raddrizzatore controllato dotato di amplificatore gate a tiristore che è adatto per applicazioni quali raddrizzatori non controllabili per convertitori c.a./c....

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1

Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1

Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge

Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1 Configurazione = Half Bridge