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Infineon IPB029N06N3 G transistor 55 V


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Informazioni sul prodotto
Infineon IPB029N06N3 G transistor 55 V
Infineon IPB029N06N3 G transistor 55 V
N. Articolo:
     CIIT7-79087041
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB029N06N3GATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Altre informazioni:
Caratteristiche
Voltaggio
55 V
Potenza
188 W
Resistenza
0.008 mΩ
Intervallo temperatura di funzionamento
-55 - 175 °C
Certificazione
RoHs
Quadro generale delle condizioni migliori tra tutte 2 le offerte1
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