Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: CIIT1-24916797 N. Art. Produtt.: MZ-75E500B/EU EAN/GTIN: 8806086523035 |
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| Cos'è la 3D V-NAND e in che cosa si distingue dalla tecnologia esistente? L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.
Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali. Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale. **Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO).
Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position. Abilita la modalita Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati;infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance . Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).
Durabilità e affidabilità garantite grazie alla tecnologia 3D V-NAND. L'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW* rispetto alla generazione precedente 840 EVO** oltre a offrire una garanzia di 5 anni. Inoltre le prestazioni del 850 EVO risultano migliori del 30% rispetto al 840 EVO, quando il ssd è sottoposto a carichi di lavoro elevati, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili***. *TBW: byte totali scritti nel periodo di garanzia. **TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 / 1 TB). ***Prestazioni prolungate nel tempo (250 GB): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), prestazioni misurate dopo 12 ore di test di “Scrittura random”.
Aumenta la durata della batteria del tuo notebook grazie alla 3D V-NAND. Il nuovo controller del 850 EVO supporta la modalità Sleep del tuo notebook permettendoti di lavorare o videogiocare più a lungo. L'850 EVO è ora più efficiente dal punto di vista energetico del 25% rispetto all'840 EVO grazie alla 3D V-NAND che consuma solo metà dell'energia rispetto a una NAND 2D planare. *Alimentazione (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO). Altre informazioni: Condizioni ambientali | Intervallo temperatura di funzionamento | 0 - 70 °C | | Intervallo di temperatura | -40 - 85 °C | | Range di umidità di funzionamento | 5 - 95 % | | Umidità | 5 - 95 % | | Vibrazione di non-funzionamento | 20 G | | Shock di funzionamento | 1500 G | | Shock di non-funzionamento | 1500 G | Gestione energetica | Consumo di energia (in lettura) | 0.1 W | | Consumo di energia (in scrittura) | 0.1 W | | Consumo energetico (inattivo) | 0.045 W | Altre caratteristiche | Colore del prodotto | Nero | | Interno | Sì | Caratteristiche | Dimensione SSD | 2.5" | | Capacità SSD | 500 GB | | Interfaccia | Serial ATA III | | Tipo memoria | MLC | | Algoritmi di sicurezza supportati | 256-bit AES | | Velocità di trasferimento dati | 6 Gbit/s | | Velocità di lettura | 540 MB/s | | Velocità di scrittura | 520 MB/s | | Lettura casuale (4KB) | 98000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) | | Scrittura casuale (4KB) | 90000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) | | Dimensione del buffer HDD | 512 MB | | Supporto S.M.A.R.T. | Sì | | Supporto TRIM | Sì | | Tempo medio tra guasti (MTBF) | 1500000 h | | Sistema operativo Windows supportato | Sì | Dimensioni e peso | Larghezza | 69.85 mm | | Profondità | 100 mm | | Altezza | 6.8 mm | | Peso | 55 g |
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