Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
C1IT2-8929600 N. Art. Produtt.:
MZTL21T9HCJR-00A07 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Samsung PM9A3 MZTL21T9HCJR - SSD - crittografato - 1.92 TB - interno - E1.L 9.5mm - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - TCG Opal Encryption 2.01 Altre informazioni: Generale | Fattore di forma | E1.L 9.5mm | | Larghezza | 33.75 mm | | Profondità | 118.75 mm | | Altezza | 9.5 mm | | Peso | 80 g | | Tipo di dispositivo | Unità di memoria a stato solido - interno | | Caratteristiche | V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller | | Capacità | 1.92 TB | | Byte per settore | 512 | | Encryption Algorithm | 256-bit AES-XTS | | Interfaccia | PCIe 4.0 x4 (NVMe) | | Tipo memoria flash NAND | MLC (multi-level cell) | | Crittografia hardware | Sì | Miscellanea | Standard di conformità | TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, non alogeno, RCM | Alimentazione | Consumo energetico | 10 Watt (lettura) ¦ 12.5 Watt (scrittura) ¦ 3.5 Watt (inattivo) | Parametri ambientali | Temperatura min esercizio | 0 °C | | Temperatura max esercizio | 70 °C | | Umidità ambiente operativo | 5 - 95% (senza condensa) | | Temperatura min stoccaggio | -40 °C | | Temperatura max stoccaggio | 85 °C | | Tolleranza agli urti (non operativo) | 1500 g | | Tolleranza alle vibrazioni (non operativo) | 20 g @ 10-2000 Hz | Prestazioni | Velocità di trasferimento dati interno | 6800 MBps (lettura) / 2700 MBps (scrittura) | | Lettura casuale da 4 KB | 850000 IOPS | | Scrittura casuale da 4 KB | 130000 IOPS | Affidabilità | Errori non recuperabili | 1 per 10^17 | | MTBF | 2,000,000 ore | Espansione e connettività | Interfacce | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) | | Compatibile con Baionetta | E1.L 9.5mm |
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