Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585N-9765433 N. Art. Produtt.:
IRFD9010PBF. EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Numero di pin 4 Pin Stile di Case del Transistor HVMDIP Temperatura di esercizio max 150 °C Dissipazione di potenza 1 W Montaggio Transistore Through Hole Tensione Drain Source Vds 50 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.35 ohm Gamma di prodotti - Tensione di test di Rds(on) 10 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Corrente Continua di Drain Id 1.1 A Tipo di canale P Channel Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Unlimited Qualificazioni - |
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| Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, IRFD9010PBF., 9765433, 976-5433 |
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