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VISHAY SIHW33N60E-GE3 MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AD-3


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585N-2311569
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHW33N60E-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Resistenza Drain-Source in conduzione 0.083 ohm Stile di Case del Transistor TO-247AD Temperatura di esercizio max 150 °C Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Tensione di test di Rds(on) 10 V Montaggio Transistore Through Hole Gamma di prodotti - Dissipazione di potenza 278 W Qualificazioni - Numero di pin 3 Pin Tipo di canale N Channel Corrente Continua di Drain Id 33 A Tensione Drain Source Vds 600 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Unlimited Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SIHW33N60E-GE3, 2311569, 231-1569
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Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti accessori:
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