Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585N-1772548 N. Art. Produtt.:
IRFD123PBF EAN/GTIN:
n.d. |
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| Stile di Case del Transistor HVMDIP Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Temperatura di esercizio max 175 °C Tipo di canale N Channel Corrente Continua di Drain Id 1.3 A Numero di pin 4 Pin Tensione di test di Rds(on) 10 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Resistenza Drain-Source in conduzione 0.27 ohm Montaggio Transistore Through Hole Dissipazione di potenza 1.3 W Tensione Drain Source Vds 100 V Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Unlimited Qualificazioni - |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, IRFD123PBF, 1772548, 177-2548 |
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| | Stato magazzino | Quantità min. | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | 100 | | Franco domicilio | a partire da € 0,784* | € 0,954* | | | | | | | | 1 | | € 7,90* | a partire da € 0,39* | € 1,03* | | | | Magazzino 8585N | 3 giorni | | | 1 | | € 18,00* | a partire da € 0,53* | € 1,81* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585N | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | a partire da 2500000 pezzi | | | |
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