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ON SEMICONDUCTOR FDS3992 Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di


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N. Articolo:
     8585-9845216
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDS3992
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023) Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P - Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P - Corrente di drain continua (Id) canale N 4.5 A Resistenza RdsON canale N 0.054 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P - Dissipazione di potenza canale N 2.5 W Dissipazione di potenza canale P - Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, ON SEMICONDUCTOR, FDS3992, 9845216, 984-5216
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