Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4218063 N. Art. Produtt.:
G3R60MT07J EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.06 ohm Gamma di prodotti G3R Series Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Corrente Continua di Drain Id 44 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 750 V Dissipazione di potenza 182 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, GENESIC SEMICONDUCTOR, G3R60MT07J, 4218063, 421-8063 |
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