Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4185144 N. Art. Produtt.:
NTTFS4H07NTWG EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0048 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 18.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor WDFN Tensione Drain Source Vds 25 V Dissipazione di potenza 33.8 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTTFS4H07NTWG, 4185144, 418-5144 |
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