TOSHIBA TPH7R506NH,L1Q(M MOSFET, CANALE N, 60V, 55A, SOP ADVANCE

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0061 ohm Gamma di prodotti U-MOSVIII-H Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 55 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Advance Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 45 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)