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TOSHIBA TPH4R003NL,L1Q(M MOSFET, CANALE N, 30V, 40A, SOP ADVANCE


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-4173203
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     TPH4R003NL,L1Q(M
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0034 ohm Gamma di prodotti U-MOSVIII-H Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 68 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Advance Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 36 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, TOSHIBA, TPH4R003NL,L1Q(M, 4173203, 417-3203
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