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TOSHIBA TPH11003NL,LQ(S MOSFET, CANALE N, 30V, 11A, SOP ADVANCE


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-4173183
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     TPH11003NL,LQ(S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
(FET)
Campo
Discreti
Effetto
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0094 ohm Gamma di prodotti U-MOSVIII-H Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 32 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Advance Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 21 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
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