TOSHIBA TK6R9P08QM,RQ(S2 MOSFET, CANALE N, 80V, 83A, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0055 ohm Gamma di prodotti U-MOSX-H Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 83 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 89 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)