YAGEO XSEMI XP10TN135H MOSFET, N-CH, 100V, 8.1A, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.135 ohm Gamma di prodotti XP10TN135H Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 8.1 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)