Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-4168959 N. Art. Produtt.: XP3P7R0EM EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.007 ohm Gamma di prodotti XP3P7R0E Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 15.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 2.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP3P7R0EM, 4168959, 416-8959 |
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