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YAGEO XSEMI XP3P7R0EM MOSFET, P-CH, 30V, 15.5A, SO-8


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N. Articolo:
     8585-4168959
Produttore:
     YAGEO XSEMI
N. Art. Produtt.:
     XP3P7R0EM
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.007 ohm Gamma di prodotti XP3P7R0E Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 15.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 2.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP3P7R0EM, 4168959, 416-8959
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