YAGEO XSEMI XP3N028EN MOSFET, N-CH, 30V, 5.4A, SOT-23S

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.028 ohm Gamma di prodotti XP3N028E Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5.4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23S Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 1.25 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)