Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4168923 N. Art. Produtt.:
XP3NA2R4MT EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0024 ohm Gamma di prodotti XP3NA2R4 Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 118 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PMPAK Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP3NA2R4MT, 4168923, 416-8923 |
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