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ROHM R6014YNX3C16 MOSFET, N-CH, 600V, 14A, TO-220AB


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-4168765
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     R6014YNX3C16
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 12 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.215 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 14 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220AB Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 132 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, R6014YNX3C16, 4168765, 416-8765
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