Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4158093 N. Art. Produtt.:
R6007RND3TL1 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.73 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 96 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, R6007RND3TL1, 4158093, 415-8093 |
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