ROHM R6004RND3TL1 MOSFET, CANALE N, 600V, 4A, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.33 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 60 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)