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INFINEON IPF016N06NF2SATMA1 MOSFET, CANALE N, 60V, 223A, TO-263
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-4154489
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IPF016N06NF2SATMA1
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0013 ohm Gamma di prodotti StrongIRFET 2 Series Numero di pin 7 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 223 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 188 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
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(FET)
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INFINEON
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IPF016N06NF2SATMA1
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4154489
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415-4489
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