VISHAY SIHK105N60E-T1-GE3 MOSFET, CANALE N, 600V, 24A, POWERPAK

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.085 ohm Gamma di prodotti E Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 24 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 132 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)