Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4134282 N. Art. Produtt.:
PXP010-20QXJ EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0084 ohm Gamma di prodotti TrenchMOS Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 17.1 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor MLPAK33 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 4.3 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, PXP010-20QXJ, 4134282, 413-4282 |
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