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STARPOWER GD50FSX65L2S MODULO IGBT, 650V, 89A, 258W


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N. Articolo:
     8585-4076252
Produttore:
     STARPOWER
N. Art. Produtt.:
     GD50FSX65L2S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente di Collettore continua 89 A Stile di Case del Transistor modulo Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.45 V Terminazione IGBT a saldare Dissipazione di potenza 258 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tecnologia Transistore IGBT Trench Field Stop Configurazione Transistore IGBT Sei connettori Montaggio Transistore modulo
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STARPOWER, GD50FSX65L2S, 4076252, 407-6252
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