Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4076234 N. Art. Produtt.: GD20PJX65F1S EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 35 A Temperatura di esercizio max 150 °C Terminazione IGBT a saldare Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.45 V Dissipazione di potenza 102 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Tecnologia Transistore IGBT Trench Field Stop Montaggio Transistore modulo Configurazione Transistore IGBT raddrizzatore di ingresso trifase PIM |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STARPOWER, GD20PJX65F1S, 4076234, 407-6234 |
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