Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4076232 N. Art. Produtt.:
GD15PJX65F1S EAN/GTIN:
n.d. |
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| Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 20 A Temperatura di esercizio max 150 °C Terminazione IGBT a saldare Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.45 V Dissipazione di potenza 95 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Tecnologia Transistore IGBT Trench Field Stop Montaggio Transistore modulo Configurazione Transistore IGBT raddrizzatore di ingresso trifase PIM |
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| Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STARPOWER, GD15PJX65F1S, 4076232, 407-6232 |
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