VISHAY SIRA54ADP-T1-RE3 MOSFET, CAN N, 40V, 128A, POWERPAK SO

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0022 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 128 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 65.7 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised