TOSHIBA TW027N65C,S1F(S MOSFET, CANALE N, 650V, 58A, TO-247

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.037 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 58 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 156 W Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)