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STMICROELECTRONICS STD7LN80K5 MOSFET, CANALE N, 800V, 5A, TO-252


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-4036301
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STD7LN80K5
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.95 ohm Gamma di prodotti MDmesh K5 Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente Continua di Drain Id 5 A Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 85 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STD7LN80K5, 4036301, 403-6301
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