STMICROELECTRONICS STD120N4F6 MOSFET, CANALE N, 40V, 80A, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0035 ohm Gamma di prodotti STripFET F6 Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 80 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 110 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)