STMICROELECTRONICS STB10N95K5 MOSFET, CANALE N, 950V, 8A, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.65 ohm Gamma di prodotti SuperMESH 5 Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 950 V Dissipazione di potenza 130 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)