TOSHIBA TPCP8013,LF(O MOSFET, N-CH, 60V, 4A, PS

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0415 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PS Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 1.96 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised