Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-4014737 N. Art. Produtt.:
SQS160ELNW-T1_GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0029 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 141 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212-8SLW Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 113 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2022) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SQS160ELNW-T1_GE3, 4014737, 401-4737 |
| | |
| |