VISHAY SIHH250N60EF-T1GE3 MOSFET, CANALE N, 600V, 13A, POWERPAK

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.218 ohm Gamma di prodotti EF Gen IV Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 13 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 89 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)