TOSHIBA TK170V65Z,LQ(S MOSFET, CANALE N, 650V, 18A, DFN

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.142 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor DFN Corrente Continua di Drain Id 18 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 150 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised