TOSHIBA TK8P60W,RVQ(S MOSFET, CANALE N, 600V, 8A, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.42 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Corrente Continua di Drain Id 8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 80 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised