TOSHIBA TK10V60W,LVQ(S MOSFET, CANALE N, 600V, 9,7A, DFN

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.327 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor DFN Corrente Continua di Drain Id 9.7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 83.3 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2022)