TOSHIBA TK16G60W5,RVQ(S MOSFET, CANALE N, 600V, 15.8A, TO-263

Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Corrente Continua di Drain Id 15.8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 130 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Resistenza Drain-Source in conduzione 0.18 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Tensione di test di Rds(on) 10 V