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ROHM R6014YNXC7G MOSFET, CANALE N, 600V, 9A, TO-220FM


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N. Articolo:
     8585-3957619
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     R6014YNXC7G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 12 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.215 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220FM Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 54 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, R6014YNXC7G, 3957619, 395-7619
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