DIODES INC. ZXMHC10A07N8TC MOSFET, DOPPIO, CAN N/P, 100V, 0.8A

Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Gamma di prodotti - Corrente di drain continua (Id) canale P 800 mA Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 800 mA Resistenza RdsON canale N 0.7 ohm Resistenza RdsON canale P 0.7 ohm Tipo di canale doppio canale N e doppio canale P complementare Dissipazione di potenza canale N 870 mW Dissipazione di potenza canale P 870 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)