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DIODES INC. DMP3056LSDQ-13 MOSFET, DOPPIO, CAN P, 30V, 6.9A


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N. Articolo:
     8585-3944149
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMP3056LSDQ-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Gamma di prodotti - Corrente di drain continua (Id) canale P 6.9 A Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 6.9 A Resistenza RdsON canale N 0.045 ohm Resistenza RdsON canale P 0.045 ohm Tipo di canale canale P Dissipazione di potenza canale N 2.5 W Dissipazione di potenza canale P 2.5 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, DIODES INC., DMP3056LSDQ-13, 3944149, 394-4149
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