Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo: 8585-3944149 N. Art. Produtt.: DMP3056LSDQ-13 EAN/GTIN: n.d. |
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 | Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Gamma di prodotti - Corrente di drain continua (Id) canale P 6.9 A Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 6.9 A Resistenza RdsON canale N 0.045 ohm Resistenza RdsON canale P 0.045 ohm Tipo di canale canale P Dissipazione di potenza canale N 2.5 W Dissipazione di potenza canale P 2.5 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) |
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 | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, DIODES INC., DMP3056LSDQ-13, 3944149, 394-4149 |
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